BUK7K12-60EXMOS场效应管

BUK7K12-60EXMOS 场效应管详解

1. 产品概述

BUK7K12-60EXMOS 场效应管是由 ROHM Semiconductor 推出的 N 沟道功率 MOSFET，属于 ROHM 的 EXMOS 产品系列。该器件具备出色的性能和可靠性，适用于各种需要高功率转换、快速开关和低功耗的应用。

2. 主要特性

* 低导通电阻 (RDS(ON))： BUK7K12-60EXMOS 具有低导通电阻，即使在高电流情况下也能保持低功耗损耗。

* 高电流容量：该器件的额定电流为 12A，能够处理高电流应用。

* 快速开关速度： BUK7K12-60EXMOS 拥有快速的开关速度，能够在高频应用中实现高效率的功率转换。

* 低栅极电荷 (Qg)：低栅极电荷可降低开关损耗，并提高效率。

* 可靠性： BUK7K12-60EXMOS 采用先进的制造工艺，具有良好的可靠性，可以确保长期稳定运行。

* 封装：该器件采用 TO-220 封装，易于安装和使用。

3. 技术指标

| 参数 | 典型值 | 最大值 | 单位 |

| :------------------------------------ | :------ | :------ | :---- |

| 漏极源极电压 (VDS) | - | 60 | V |

| 漏极电流 (ID) | - | 12 | A |

| 导通电阻 (RDS(ON)) | - | 0.015 | Ω |

| 栅极源极电压 (VGS) | - | ±20 | V |

| 栅极电荷 (Qg) | - | 22 | nC |

| 输入电容 (Ciss) | - | 310 | pF |

| 反向传输电容 (Crss) | - | 16 | pF |

| 输出电容 (Coss) | - | 50 | pF |

| 结点温度 (Tj) | - | 175 | ℃ |

4. 应用领域

BUK7K12-60EXMOS 场效应管适用于各种高功率应用，包括：

* 电源转换：适用于 AC-DC 转换器、DC-DC 转换器、逆变器等。

* 电机控制：可用于电机驱动、速度控制、位置控制等。

* 照明：适用于 LED 照明驱动器、调光控制等。

* 工业自动化：可用于自动化设备、机械控制等。

* 其他应用：还可用于焊接、加热、充电等应用。

5. 工作原理

场效应管的工作原理基于电场控制电流。BUK7K12-60EXMOS 是一种 N 沟道 MOSFET，其内部结构包括一个 P 型硅衬底、一个 N 型硅通道和两个 P 型扩散区（源极和漏极）。当在栅极和源极之间施加电压时，会形成一个电场，控制通道中的电流流动。

* 当栅极电压低于阈值电压时，通道被关闭，漏极电流为零。

* 当栅极电压高于阈值电压时，通道被打开，电流从源极流向漏极。

* 栅极电压越高，通道的导通电阻越低，电流越大。

6. 使用注意事项

* 散热： BUK7K12-60EXMOS 具有较低的导通电阻，但在高电流应用中，需要确保良好的散热，防止器件过热。

* 驱动电路：使用 MOSFET 时需要匹配合适的驱动电路，以确保栅极电压的快速上升和下降，减少开关损耗。

* 保护电路：为了防止器件损坏，需要添加相应的保护电路，例如过电流保护、过电压保护等。

* 应用环境：该器件的额定工作温度为 -55 ℃ 到 +175 ℃，应确保器件工作在安全的环境温度范围内。

7. 优点和缺点

优点:

* 低导通电阻，高效率。

* 高电流容量，适合高功率应用。

* 快速开关速度，适合高频应用。

* 栅极电荷低，降低开关损耗。

* 高可靠性，确保长期稳定运行。

缺点:

* 价格相对较高。

* 必须使用驱动电路。

* 需要注意散热问题。

8. 结论

BUK7K12-60EXMOS 是一款高性能、高可靠性的 N 沟道功率 MOSFET，适用于各种高功率应用。其低导通电阻、高电流容量和快速开关速度使其成为电源转换、电机控制、照明等领域的理想选择。在使用该器件时，需要考虑散热、驱动电路和保护电路等因素，以确保其正常工作。

BUK7K12-60EXMOS场效应管

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