BUK7M8R0-40EXMOS场效应管

BUK7M8R0-40EXMOS场效应管详细介绍

一、概述

BUK7M8R0-40EXMOS场效应管是由罗姆半导体（Rohm）生产的 N 沟道增强型 MOSFET，属于 ROHM 的 EXMOS 系列。该器件具有低导通电阻 (RDS(on))，高耐压 (VDSS)，以及出色的电流承载能力，适用于各种高功率应用，例如电源转换、电机控制、充电器等。

二、主要参数

| 参数 | 符号 | 单位 | 典型值 | 最大值 |

|-------------------------|-------|------|---------|--------|

| 漏极源极电压 | VDSS | V | 400 | 400 |

| 漏极电流 | ID | A | 8 | 8 |

| 导通电阻 (VGS=10V) | RDS(on) | mΩ | 1.4 | 2.5 |

| 门极阈值电压 | VGS(th) | V | 3.5 | 5 |

| 输入电容 | Ciss | pF | 2700 | - |

| 输出电容 | Coss | pF | 1800 | - |

| 反向传输电容 | Crss | pF | 100 | - |

| 工作温度范围 | Tj | °C | -150 | 175 |

| 封装形式 | TO-220 | - | - | - |

三、器件结构及工作原理

BUK7M8R0-40EXMOS 场效应管采用 N 沟道增强型 MOSFET 结构，其结构示意图如下：

[图片：MOSFET 结构示意图]

MOSFET 器件主要由三个部分组成：

* 源极 (S)：电子流入器件的端点。

* 漏极 (D)：电子流出器件的端点。

* 栅极 (G)：控制电流流动的端点。

当栅极电压 (VGS) 大于门极阈值电压 (VGS(th)) 时，栅极和源极之间形成一个电场，这个电场会吸引导电沟道中的自由电子，形成一个导电路径，使漏极电流 (ID) 流过。反之，当 VGS 小于 VGS(th) 时，导电沟道消失，漏极电流被截止。

四、特点及优势

* 低导通电阻 (RDS(on))： BUK7M8R0-40EXMOS 拥有低至 1.4 mΩ 的 RDS(on)，能够有效降低导通损耗，提高效率。

* 高耐压 (VDSS)： 400V 的耐压，使其能够承受更高的电压，适用于各种高压应用。

* 高电流承载能力： 8A 的电流承载能力，可应对高电流负载。

* 快速开关速度： MOSFET 具有快速开关速度，能够快速响应控制信号，提升功率转换效率。

* 可靠性高： EXMOS 系列 MOSFET 经过严格的测试和筛选，具有高可靠性和稳定性。

五、应用范围

BUK7M8R0-40EXMOS 场效应管具有高功率和高效率的特点，适用于各种高功率应用，例如：

* 电源转换： DC-DC 转换器、开关电源、逆变器。

* 电机控制：电动车电机控制、工业电机控制、伺服电机控制。

* 充电器：手机充电器、笔记本电脑充电器、电动汽车充电器。

* 照明系统： LED 照明驱动、高压照明系统。

* 其他高功率应用：电焊机、高频加热器、超声波清洗机等。

六、注意事项

* 在使用 BUK7M8R0-40EXMOS 时，需要关注以下注意事项：

* 散热：该器件具有较高的功率损耗，需要采取有效的散热措施，避免温度过高导致器件损坏。

* 门极驱动：需要使用合适的门极驱动电路，确保门极电压能够快速升降，以实现快速的开关速度。

* 静电防护： MOSFET 器件对静电敏感，在操作过程中需要做好静电防护，避免静电损坏器件。

* 电压等级：需注意器件的耐压等级，避免超过额定电压使用。

* 电流等级：需注意器件的电流承载能力，避免超过额定电流使用。

七、总结

BUK7M8R0-40EXMOS 是罗姆半导体 (ROHM) 生产的一款高性能 N 沟道增强型 MOSFET，具有低导通电阻、高耐压、高电流承载能力等特点，适用于各种高功率应用。在使用该器件时，需要关注散热、门极驱动、静电防护等问题，确保器件安全可靠地工作。

八、参考文献

* [罗姆半导体官网](/)

* [BUK7M8R0-40EXMOS 数据手册]()

九、关键词

BUK7M8R0-40EXMOS, MOSFET, 场效应管, 罗姆, EXMOS, 高功率, 低导通电阻, 高耐压, 高电流承载能力, 电源转换, 电机控制, 充电器, 应用范围, 注意事项, 数据手册

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