BUK7M8R0-40EXMOS场效应管详细介绍
一、概述
BUK7M8R0-40EXMOS场效应管是由罗姆半导体(Rohm)生产的 N 沟道增强型 MOSFET,属于 ROHM 的 EXMOS 系列。该器件具有低导通电阻 (RDS(on)),高耐压 (VDSS),以及出色的电流承载能力,适用于各种高功率应用,例如电源转换、电机控制、充电器等。
二、主要参数
| 参数 | 符号 | 单位 | 典型值 | 最大值 |
|-------------------------|-------|------|---------|--------|
| 漏极源极电压 | VDSS | V | 400 | 400 |
| 漏极电流 | ID | A | 8 | 8 |
| 导通电阻 (VGS=10V) | RDS(on) | mΩ | 1.4 | 2.5 |
| 门极阈值电压 | VGS(th) | V | 3.5 | 5 |
| 输入电容 | Ciss | pF | 2700 | - |
| 输出电容 | Coss | pF | 1800 | - |
| 反向传输电容 | Crss | pF | 100 | - |
| 工作温度范围 | Tj | °C | -150 | 175 |
| 封装形式 | TO-220 | - | - | - |
三、器件结构及工作原理
BUK7M8R0-40EXMOS 场效应管采用 N 沟道增强型 MOSFET 结构,其结构示意图如下:
[图片:MOSFET 结构示意图]
MOSFET 器件主要由三个部分组成:
* 源极 (S):电子流入器件的端点。
* 漏极 (D):电子流出器件的端点。
* 栅极 (G):控制电流流动的端点。
当栅极电压 (VGS) 大于门极阈值电压 (VGS(th)) 时,栅极和源极之间形成一个电场,这个电场会吸引导电沟道中的自由电子,形成一个导电路径,使漏极电流 (ID) 流过。反之,当 VGS 小于 VGS(th) 时,导电沟道消失,漏极电流被截止。
四、特点及优势
* 低导通电阻 (RDS(on)): BUK7M8R0-40EXMOS 拥有低至 1.4 mΩ 的 RDS(on), 能够有效降低导通损耗,提高效率。
* 高耐压 (VDSS): 400V 的耐压,使其能够承受更高的电压,适用于各种高压应用。
* 高电流承载能力: 8A 的电流承载能力,可应对高电流负载。
* 快速开关速度: MOSFET 具有快速开关速度,能够快速响应控制信号,提升功率转换效率。
* 可靠性高: EXMOS 系列 MOSFET 经过严格的测试和筛选,具有高可靠性和稳定性。
五、应用范围
BUK7M8R0-40EXMOS 场效应管具有高功率和高效率的特点,适用于各种高功率应用,例如:
* 电源转换: DC-DC 转换器、开关电源、逆变器。
* 电机控制: 电动车电机控制、工业电机控制、伺服电机控制。
* 充电器: 手机充电器、笔记本电脑充电器、电动汽车充电器。
* 照明系统: LED 照明驱动、高压照明系统。
* 其他高功率应用: 电焊机、高频加热器、超声波清洗机等。
六、注意事项
* 在使用 BUK7M8R0-40EXMOS 时,需要关注以下注意事项:
* 散热: 该器件具有较高的功率损耗,需要采取有效的散热措施,避免温度过高导致器件损坏。
* 门极驱动: 需要使用合适的门极驱动电路,确保门极电压能够快速升降,以实现快速的开关速度。
* 静电防护: MOSFET 器件对静电敏感,在操作过程中需要做好静电防护,避免静电损坏器件。
* 电压等级: 需注意器件的耐压等级,避免超过额定电压使用。
* 电流等级: 需注意器件的电流承载能力,避免超过额定电流使用。
七、总结
BUK7M8R0-40EXMOS 是罗姆半导体 (ROHM) 生产的一款高性能 N 沟道增强型 MOSFET,具有低导通电阻、高耐压、高电流承载能力等特点,适用于各种高功率应用。在使用该器件时,需要关注散热、门极驱动、静电防护等问题,确保器件安全可靠地工作。
八、参考文献
* [罗姆半导体官网](/)
* [BUK7M8R0-40EXMOS 数据手册]()
九、关键词
BUK7M8R0-40EXMOS, MOSFET, 场效应管, 罗姆, EXMOS, 高功率, 低导通电阻, 高耐压, 高电流承载能力, 电源转换, 电机控制, 充电器, 应用范围, 注意事项, 数据手册
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