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BUK9K35-60RAXMOS场效应管

BUK9K35-60RAXMOS场效应管科学分析

BUK9K35-60RAXMOS是一种高性能的N沟道增强型金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET),由罗姆半导体公司生产。该器件具备低导通电阻、快速开关速度和高耐压等特点,使其适用于各种电源管理、电机驱动和开关应用。

# 一、器件特性与参数

1.1 关键特性

* 低导通电阻 (RDS(ON)): 在额定电流下,BUK9K35-60RAXMOS的导通电阻极低,有助于降低能量损耗,提高效率。

* 快速开关速度: 该器件具有较短的上升和下降时间,使其能够快速切换电流,适用于需要快速响应的应用。

* 高耐压: BUK9K35-60RAXMOS拥有高达600V的耐压,能够承受高压环境下的工作,适用于高压电源管理和电机驱动。

* 低栅极电荷 (Qgs): 较低的栅极电荷可以减少开关过程中的能量损耗,提高效率。

* 高可靠性: BUK9K35-60RAXMOS通过严格的测试和验证,确保其在各种恶劣环境下都能稳定可靠地工作。

1.2 主要参数

* 额定电压 (Vds): 600V

* 额定电流 (Ids): 35A

* 导通电阻 (RDS(ON)): 典型值 16mΩ

* 栅极电压 (Vgs): 10V

* 上升时间 (tr): 典型值 16ns

* 下降时间 (tf): 典型值 20ns

* 封装: TO-220

* 工作温度范围: -55℃ to +150℃

# 二、工作原理

BUK9K35-60RAXMOS属于增强型N沟道MOSFET,其工作原理基于金属氧化物半导体场效应晶体管的结构和特性。

2.1 结构:

* 漏极 (D): 电流流出的端子。

* 源极 (S): 电流流入的端子。

* 栅极 (G): 控制电流流动的端子。

* 衬底 (B): 用于支撑其他结构的半导体材料。

* 氧化层 (SiO2): 介于栅极和衬底之间,用于隔离栅极和衬底。

2.2 工作原理:

* 关断状态: 当栅极电压低于阈值电压 (Vth) 时,衬底与源极之间形成一个耗尽层,阻止电流流过。

* 导通状态: 当栅极电压超过阈值电压时,栅极电压在氧化层上形成电场,吸引衬底中的电子,形成导电通道,使电流从源极流向漏极。

* 电流控制: 栅极电压的大小控制着导电通道的宽度,从而控制流经器件的电流。

# 三、应用领域

BUK9K35-60RAXMOS的独特特性使其在各种应用领域中具有优势,包括:

3.1 电源管理:

* 开关电源: 用于DC-DC转换器、AC-DC转换器,提高电源效率,降低能耗。

* 电池管理: 用于电池充电器、电池保护电路,提高电池使用效率和安全性。

* 电源适配器: 用于各种电子设备的电源适配器,提供稳定可靠的电源供应。

3.2 电机驱动:

* 直流电机驱动: 用于直流电机控制,实现电机速度、扭矩调节。

* 伺服电机驱动: 用于精密控制的伺服电机驱动,提高控制精度和响应速度。

* 步进电机驱动: 用于步进电机的驱动控制,实现精确的步进动作。

3.3 开关应用:

* 负载开关: 用于控制负载的通断,实现快速开关操作。

* 继电器替代: 用MOSFET替代传统继电器,实现更高的效率和更长的寿命。

* 信号隔离: 用于隔离信号,防止干扰和噪声。

# 四、使用注意事项

* 热管理: MOSFET会产生热量,需要确保合适的散热措施,防止器件过热损坏。

* 栅极驱动: 需要合适的栅极驱动电路,确保快速有效的开关操作。

* ESD保护: MOSFET易受静电放电 (ESD) 损伤,需要采取ESD保护措施,防止器件损坏。

* 工作电压: 选择合适的器件,确保其耐压能够满足实际应用需求。

* 工作电流: 选择合适的器件,确保其电流容量能够满足实际应用需求。

# 五、优势与劣势

5.1 优势:

* 高效率: 低导通电阻和快速开关速度,降低能量损耗,提高效率。

* 高可靠性: 严格的测试和验证,确保其在各种恶劣环境下都能稳定可靠地工作。

* 低功耗: 低栅极电荷,减少开关过程中的能量损耗。

* 多功能性: 适用于各种电源管理、电机驱动和开关应用。

5.2 劣势:

* 价格: 与传统二极管或晶体管相比,MOSFET的价格相对较高。

* ESD敏感性: 易受静电放电 (ESD) 损伤,需要采取ESD保护措施。

* 散热需求: 需要合适的散热措施,防止器件过热损坏。

# 六、总结

BUK9K35-60RAXMOS是一款高性能、可靠的N沟道增强型MOSFET,具有低导通电阻、快速开关速度、高耐压等优势,适用于各种电源管理、电机驱动和开关应用。该器件在设计和应用中需要考虑热管理、栅极驱动、ESD保护、工作电压和工作电流等因素,以确保其正常工作。

# 七、参考资料

* 罗姆半导体官方网站: /

* BUK9K35-60RAXMOS数据手册:

希望本文能够帮助您更好地了解BUK9K35-60RAXMOS场效应管。如果您有任何问题或建议,请随时提出。

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