场效应管(MOSFET) SQA410CEJW-T1_GE3 SC-70中文介绍,威世(VISHAY)
威世 (VISHAY) 场效应管 SQA410CEJW-T1_GE3 SC-70 中文介绍
1. 产品概述
SQA410CEJW-T1_GE3 是威世 (VISHAY) 公司生产的 N 沟道增强型 MOSFET,采用 SC-70 封装。这款器件属于 超小型 SOT-323 封装,适用于空间受限的应用场景,例如便携式电子设备、穿戴式设备、消费类电子产品等。该器件具有低导通电阻、高开关速度和低功耗等特点,适用于各种开关应用,如电源管理、电池管理、信号切换等。
2. 产品特性
* N 沟道增强型 MOSFET:N 型半导体材料,通过施加正电压控制漏极电流。
* SC-70 封装:超小型封装,尺寸仅为 1.6mm x 1.2mm x 0.8mm,适用于空间有限的应用。
* 低导通电阻 (RDS(ON)):低导通电阻意味着更低的功耗损耗,提高效率。
* 高开关速度:快速响应时间,适用于高速开关应用。
* 低功耗:低功耗损耗,延长设备运行时间。
* 工作电压范围: VGS = 0V - 20V
* 最大漏极电流 (ID):100mA
* 典型导通电阻 (RDS(ON)):2.5Ω
* 最大漏极-源极电压 (VDSS):30V
* 工作温度范围:-55℃ 到 +150℃
3. 产品参数
| 参数 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
|---|---|---|---|
| 漏极电流 (ID) | 100 | 150 | mA |
| 漏极-源极电压 (VDSS) | 30 | - | V |
| 栅极-源极电压 (VGS) | 20 | - | V |
| 导通电阻 (RDS(ON)) | 2.5 | - | Ω |
| 门槛电压 (Vth) | 1.5 | - | V |
| 输入电容 (Ciss) | 20 | - | pF |
| 输出电容 (Coss) | 10 | - | pF |
| 反向传输电容 (Crss) | 5 | - | pF |
| 漏极-源极间接通电阻 (Rds(on)) | 2.5 | - | Ω |
| 工作温度范围 | -55 | +150 | ℃ |
4. 产品优势
* 小型化设计: SC-70 封装尺寸小巧,适用于空间有限的应用。
* 低导通电阻: 低导通电阻意味着更高的效率和更低的功耗损耗。
* 高速开关: 高速开关性能,适用于各种开关应用。
* 高可靠性: 威世公司提供的产品经过严格测试和认证,保证高可靠性。
* 广泛应用: 适用于各种电子设备,例如便携式电子设备、穿戴式设备、消费类电子产品等。
5. 产品应用
* 电源管理: 用于电源管理电路中的开关,例如电池管理系统、电源转换器等。
* 信号切换: 用于信号切换电路,例如音频、视频、数据信号的切换。
* 电机控制: 用于电机控制电路,例如直流电机、步进电机等。
* 电池管理: 用于电池管理系统,例如电池充放电控制、电池监测等。
* 其他开关应用: 适用于各种需要开关功能的应用场景。
6. 产品封装图
[图示:SC-70 封装图]
7. 使用注意事项
* 在使用 SQA410CEJW-T1_GE3 时,请注意其工作电压、电流和温度范围。
* 使用合适的驱动电路,避免栅极电压过高或过低。
* 使用合适的散热措施,避免器件过热。
* 在使用过程中,请参考威世公司提供的产品手册,详细了解其使用说明和注意事项。
8. 总结
SQA410CEJW-T1_GE3 是一款性能优异的小型 MOSFET,适用于各种开关应用。其低导通电阻、高开关速度和低功耗等特性使其成为众多电子设备的理想选择。威世公司提供的产品经过严格测试和认证,保证高可靠性,可满足各种应用需求。


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