UTC集团成立于1990年，专注致力于模拟IC及离散式组件Discrete 研发、设计、制造、封装、测试及营销业务。 为提供客户完整的解决方案 及具价格竞争优势，公司经营策略采IDM资源垂直整合，期望能给予客户最 佳选择，并创造客户最大之经济效益。 IDM采取主动的方式，从产品的研发、设计、制造、封装、测试到品牌 营销， 在每一个关键点都充分掌握其自主的能力，以达到产能保障及技术 自主，充分展现企业竞争力。 UTC具有完整模拟组件产品线，产品以类比IC为主(涵盖电源管理、电源 驱动、运算放大器、比较器、数字功放、 逻辑IC等)， 分立器件为辅(涵盖 低压MOS管 、高压MOS管、超结MOS、IGBT单管、快恢复二级管 、萧特基二极管、 TVS二极管、稳压二极管、三极管、数位三极管、高频三极管、双向可控硅、 单向可控硅等）。
| 图片 | 型号 | 描述 | 库存 | 价格 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|
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低压差线性稳压(LDO) LD1117AG-ADJ TO-252 规格书 |
散货：327
整货：0
包装：2500/盘
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三极管(晶体管) 2SC1815L-GR-T92-B TO-92 NPN Vceo=50V Ic=150mA HFE=200-400 规格书 |
散货：326
整货：0
包装：2000/盘
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三极管(晶体管) MJE13003L-B-T92-K TO-92 NPN Vceo=700V Ic=1.5A HFE=21-27 规格书 |
散货：271
整货：0
包装：1000/盘
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稳压电路 78L15L TO-92(TO-92-3) 规格书 |
散货：192
整货：0
包装：2000/盘
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三极管(晶体管) MMBT9014G-C-AE3-R SOT-23 NPN Vceo=50V Ic=100mA HFE=200-600 规格书 |
散货：188
整货：0
包装：3000/盘
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MOS场效应管 4N65L-Q-TM3-R TO-251 N沟道 650V 4A 2.5Ω@10V 规格书 |
散货：150
整货：0
包装：80/盘
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MOS场效应管 4N80L-TF3-T TO-220F N沟道 800V 4A 3Ω@10V 规格书 |
散货：149
整货：0
包装：50/盘
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三极管(晶体管) 2SD313L-E-TA3-T TO-220 NPN Vceo=60V Ic=3A HFE=100-200 规格书 |
散货：149
整货：0
包装：50/盘
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三极管(晶体管) MJE13003L-B-T60-K TO-126 NPN Vceo=400V Ic=1.5A HFE=21-27 规格书 |
散货：119
整货：0
包装：200/盘
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MOS场效应管 UT3N06L-TM3-T TO-251 N沟道 60V 3A 0.09Ω(90mΩ)@10V 规格书 |
散货：104
整货：0
包装：80/盘
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肖特基二极管 MBR10100CL-TA3-T TO-220 100V 5A VF=0.9V@10A 规格书 |
散货：99
整货：0
包装：50/盘
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开关电源芯片 UC3845L DIP-8 规格书 |
散货：96
整货：0
包装：50/盘
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三极管(晶体管) MMBTA42G-AE3-R SOT-23 NPN Vceo=300V Ic=500mA HFE=80-300 规格书 |
散货：93
整货：0
包装：3000/盘
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MOS场效应管 7N65KL-MTQ-TF3-T TO-220F N沟道 650V 7A 1.6Ω@10V 规格书 |
散货：87
整货：0
包装：50/盘
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三极管(晶体管) HE8050G-D-AB3-R SOT-89 NPN Vceo=25V Ic=1.5A HFE=160-300 规格书 |
散货：87
整货：0
包装：4000/盘
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MOS场效应管 10N70L-TF2-T TO-220F2 N沟道 700V 10A 1.2Ω@10V 规格书 |
散货：80
整货：0
包装：50/盘
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MOS场效应管 30N06L-TA3-T TO-220 N沟道 60V 30A 0.04Ω(40mΩ)@10V 规格书 |
散货：73
整货：0
包装：50/盘
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开关电源芯片 TL494L DIP-16 规格书 |
散货：71
整货：0
包装：25/盘
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MOS场效应管 19N10L-TM3-T TO-251 N沟道 100V 15.6A 0.1Ω(100mΩ)@10V 规格书 |
散货：70
整货：0
包装：80/盘
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MOS场效应管 6N70KL-TF1-T TO-220F1 N沟道 700V 6A 1.6Ω@10V 规格书 |
散货：65
整货：0
包装：50/盘
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多
海量现货云仓
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快
闪电发货
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