场效应管（Field Effect Transistor，简称FET）是一种重要的电子器件，其原理基于场效应的控制电流。FET通常由源极、漏极和栅极构成，通过改变栅极电压，从而控制源漏电流的大小。FET具有输入阻抗高、噪声低、开关速度快等优点，被广泛应用于放大、开关和模拟电路中。

MOS管（Metal Oxide Semiconductor，金属氧化物半导体）是一种常见的场效应管。它的结构包括P型衬底、N型衬底、栅极、漏极和源极。当栅极施加正向偏压时，产生的电场会吸引P型衬底中少数载流子（电子）到栅极与漏极之间形成导通，从而实现源漏电流的控制。

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