三极管用饱和Rce，而MOSFET用饱和Vds？
2023-08-25 15:24:01
晨欣小编
你的问题涉及到三极管和MOSFET两种不同类型的晶体管，以及它们在饱和区工作时的参数。
在三极管（BJT）中，饱和时的参数通常用饱和电阻（Rce）来描述。饱和电阻是指在三极管工作于饱和区时，集电极-发射极之间的等效电阻。当三极管饱和时，它的集电极-发射极之间的电阻会变得相对较低，使得电流可以流经三极管。
而在MOSFET中，饱和时的参数通常用漏极-源极电压（Vds）来描述。饱和状态下，MOSFET的漏极-源极电压会趋近于一个较低的值，电流可以在漏极和源极之间流通。
需要注意的是，虽然三极管和MOSFET都有饱和区的概念，但它们的工作原理和特性在很多方面是不同的。三极管是一个双极性器件，而MOSFET是一个单极性器件。因此，在描述饱和时的参数时，会有所不同。
总之，三极管饱和时用饱和电阻（Rce）来描述，而MOSFET饱和时用漏极-源极电压（Vds）来描述。这两种参数反映了不同类型晶体管在饱和状态下的特性。
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