金属氧化物半导体场效应晶体管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor，MOSFET）是一种常用的半导体器件，用于电子电路中的放大、开关和调控操作。不同种类的MOSFET有不同的构造和结构，主要分为两类：增强型MOSFET和耗尽型MOSFET。以下是这两种MOSFET的基本构造和结构：

增强型MOSFET（Enhancement-Mode MOSFET）：

1. 衬底（Substrate）： 通常由硅制成，是MOSFET的基底。

2. 绝缘层（Insulator）： 位于衬底上，通常是氧化硅（SiO2），用于电隔离。

3. 栅极（Gate）： 通常是金属，覆盖在绝缘层上，栅极上的电压控制MOSFET的通道导电状态。

4. 源极（Source）： 通常是n型或p型半导体材料，位于衬底上，与通道相邻。

5. 漏极（Drain）： 也是n型或p型半导体材料，位于衬底上，远离源极。通道的导电状态受栅极电压控制，决定了电流流动的路径。

增强型MOSFET有不同的亚型，包括n沟道MOSFET（NMOS）和p沟道MOSFET（PMOS），其主要区别在于源极和漏极的类型和极性。NMOS的通道是n型的，PMOS的通道是p型的。

耗尽型MOSFET（Depletion-Mode MOSFET）：耗尽型MOSFET的结构与增强型MOSFET类似，但具有不同的工作原理。耗尽型MOSFET在零栅极电压下处于导通状态，需要施加负栅极电压来将其截止。通道中存在初始载流子，通常是电子或空穴。

不同种类的MOSFET结构和工作原理使它们适用于不同的应用。增强型MOSFET通常用于开关和放大应用，而耗尽型MOSFET通常用于特定应用，如CMOS电路。选择适当的MOSFET类型取决于电路需求和设计目标。