光敏电阻（Photocell或LDR）的特性：

1. 感光特性： 光敏电阻的电阻值随着光照强度的变化而变化。在弱光条件下，电阻值较大；在强光条件下，电阻值较小。

2. 响应时间： 光敏电阻的响应时间相对较慢，因此在高速应用中可能不适用。

3. 波长特性： 光敏电阻对光的波长也有一定的选择性，通常设计用于特定波长范围内的应用。

4. 温度特性： 电阻值可能受温度影响，因此在高温或低温条件下需要进行适当的校准。

光敏电阻的构成：

光敏电阻通常由半导体材料构成，其电阻值取决于光照强度。光照越强，半导体中的电子-空穴对的产生越多，导致电阻值下降。

光敏电阻的分类：

1. CdS型（硫化镉型）： 使用硫化镉作为半导体材料。在光照下，硫化镉的电导性增加。

2. CdSe型（硒化镉型）： 使用硒化镉作为半导体材料。与CdS型类似，光照下电导性增加。

3. InSb型（砷化铟型）： 使用砷化铟作为半导体材料。在红外光范围内具有较好的灵敏度。

光敏电阻的测量：

光敏电阻的测量通常通过电阻测量仪或电桥进行。测量时应考虑以下几点：

1. 电源电压： 使用合适的电源电压，通常在其额定电压范围内。

2. 光照条件： 测量时需要考虑光照条件，因为光敏电阻的电阻值与光照强度相关。

3. 温度校准： 在一些应用中，可能需要进行温度校准，因为电阻值可能受温度影响。

4. 外部电路： 根据具体应用，可能需要设计适当的外部电路，如电压分压电路或电流源，以获得所需的输出。

光敏电阻常用于光敏电路、光控开关、照度测量等应用，具有简单、经济、易于使用等特点。