VDMOS（Vertical Double-diffused MOS）是一种常见的金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）结构，用于功率器件，例如功率开关和功率放大器。在VDMOS中，平面型（Planar）VDMOS和超结型（Superjunction）VDMOS是两种不同的设计。

平面型VDMOS：

1. 结构特点： 平面型VDMOS的结构相对简单，沿垂直方向排列。通常，P型区和N型区沿垂直方向形成。

2. 雪崩耐量： 平面型VDMOS的雪崩耐量相对较低。在高电场区域，可能会发生雪崩击穿，限制了器件的耐压能力。

超结型VDMOS：

1. 结构特点： 超结型VDMOS采用了Superjunction技术，通过在N型区域交叉嵌套P型区域，形成电场平衡，改进了电场分布。

2. 雪崩耐量： 超结型VDMOS的设计改进了电场分布，使得器件具有更高的雪崩耐量。通过平衡电场，超结型VDMOS可以在更高的电压下工作而不发生雪崩击穿。

3. 耐压性能： 超结型VDMOS的雪崩耐量改善意味着它们通常具有更高的耐压性能，使其适用于高压应用。

4. 导通特性： 超结型VDMOS在高压条件下能够提供更低的导通电阻，因为电场平衡有助于降低电流密度。

总体而言，超结型VDMOS相对于平面型VDMOS具有更高的雪崩耐量和耐压性能。这使得超结型VDMOS在高压功率器件领域中更为常见，尤其是在要求高耐压的应用中，例如电力转换、电源供应等。但是，超结型VDMOS的制造复杂度和成本可能较高，具体的选择应根据应用需求和成本考虑做出。