irf630n场效应管参数 irf630n引脚图
2023-11-29 14:15:29
晨欣小编
IRF630N是一种N沟道场效应管(N-channel MOSFET),通常用于功率放大和开关电源等应用。以下是IRF630N的主要参数和引脚图:
最大漏极-源极电压(Vds): 200V
最大漏极电流(Id): 9.0A
最大功率耗散(Pd): 75W
门极-源极电压(Vgs): ±20V
门极电荷(Qg): 31nC
漏极-源极电阻(Rds(on)): 1.25 ohms
开关时间: 典型值为30ns至40ns
IRF630N通常采用TO-220封装,它有三个引脚,分别是Gate(门极),Drain(漏极),和Source(源极)。以下是一般的TO-220引脚图:
luaCopy code +------------------+ Gate -- | | Drain -- | | Source - | | +------------------+
在使用IRF630N时,需要将Gate引脚连接到控制信号,Drain引脚连接到负载,而Source引脚连接到地。需要注意的是,在使用场效应管时,通常需要保证Vgs(门极-源极电压)在规定的范围内,以确保可靠的开关操作。
CR0201JH0202G
SMBJ43A
RR6432(2512)L9R10FT
RT0603BRE0797K6L
CC1812JKNPO0BN153
RTT021001BTH
GRM0335C1E3R5BA01
CGA5L4X7T2W104KT0Y0N
CDNBS08-SLVU2.8-4
ASMD0603-001
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