irf630n场效应管参数 irf630n引脚图

 

2023-11-29 14:15:29

晨欣小编

IRF630N是一种N沟道场效应管(N-channel MOSFET),通常用于功率放大和开关电源等应用。以下是IRF630N的主要参数和引脚图:

IRF630N参数:

  1. 最大漏极-源极电压(Vds): 200V

  2. 最大漏极电流(Id): 9.0A

  3. 最大功率耗散(Pd): 75W

  4. 门极-源极电压(Vgs): ±20V

  5. 门极电荷(Qg): 31nC

  6. 漏极-源极电阻(Rds(on)): 1.25 ohms

  7. 开关时间: 典型值为30ns至40ns

IRF630N引脚图:

IRF630N通常采用TO-220封装,它有三个引脚,分别是Gate(门极),Drain(漏极),和Source(源极)。以下是一般的TO-220引脚图:

luaCopy code          +------------------+
 Gate  -- |                  |
 Drain -- |                  |
 Source - |                  |
          +------------------+

在使用IRF630N时,需要将Gate引脚连接到控制信号,Drain引脚连接到负载,而Source引脚连接到地。需要注意的是,在使用场效应管时,通常需要保证Vgs(门极-源极电压)在规定的范围内,以确保可靠的开关操作。


 

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