IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor）是一种功率半导体器件，其终端耐压结构通常分为平面结和柱面结。这两种结构在绝缘层的形状和配置上有所不同，从而影响了器件的终端耐压性能。

1. 平面结（Planar Structure）：

• 特点：

• 平面结的绝缘层和结构较为平坦。

• 通常采用背面绝缘技术，即绝缘层直接涂覆在芯片背面。

• 终端耐压主要依赖于背面绝缘层的性能。

• 优势：

• 制造工艺相对简单，适合大规模生产。

• 成本较低。

• 劣势：

• 终端耐压相对较低。

• 高电压应用时可能需要额外的绝缘处理。

2. 柱面结（Trench Structure）：

• 特点：

• 柱面结的绝缘层通过柱状凹槽（trench）的方式进行布局，形成柱状的绝缘结构。

• 终端耐压性能主要依赖于柱面结的设计和制造。

• 优势：

• 提供更高的终端耐压性能。

• 适用于高电压应用。

• 劣势：

• 制造工艺较为复杂，相对成本较高。

• 制程要求严格，可能不适合大规模生产。

3. 终端耐压差异：

• 平面结的终端耐压相对较低，适用于低电压应用和成本敏感型产品。

• 柱面结提供更高的终端耐压，适用于高电压和高性能应用，但可能伴随较高的制造成本。

在选择合适的IGBT时，设计者需要综合考虑电路的工作电压、功率要求以及成本等因素。对于高电压和高性能应用，通常会选择柱面结的IGBT，而对于低电压和成本敏感型应用，平面结的IGBT可能更为合适。