设计基于硅碳化金属氧化物场效应晶体管（SiC-MOSFET）的隔离型准谐振转换器涉及到多个方面，包括电路拓扑、控制策略、选型等。下面是一个简单的基于SiC-MOSFET的隔离型准谐振转换器的设计案例：

1. 电路拓扑选择：

在设计中，可以选择一种拓扑，例如半桥或全桥准谐振转换器。这里以半桥为例。

2. 电路元件的选择：

• 变压器： 选择一个适当的变压器，具有隔离特性。考虑变比、耐压等参数。

• SiC-MOSFET： 选用SiC-MOSFET，它们具有更高的开关频率、更低的开关损耗和更好的温度特性。确保所选的SiC-MOSFET能够满足设计的功率需求。

• 电容和电感： 根据所选拓扑和工作频率选择合适的电容和电感。

• 隔离器件： 如果需要隔离输入和输出，可以考虑使用隔离变压器或者光耦等器件。

3. 控制策略：

• PWM控制： 使用脉冲宽度调制（PWM）控制方法，可以通过控制SiC-MOSFET的导通和截止时间来调节输出电压。

• 谐振控制： 利用准谐振拓扑的特性，设计控制策略来实现高效的功率转换。

• 反馈控制： 可以添加反馈回路，通过对输出进行监测，实现稳定的输出电压。

4. 保护电路：

• 过流保护： 添加过流保护电路，防止SiC-MOSFET和其他元件因过流而受损。

• 过压保护： 考虑输入和输出过压保护电路，以保护电路和负载。

5. 热设计：

• 散热设计： SiC-MOSFET的高温特性可能需要更加有效的散热设计。确保电路在额定功率下能够正常工作。

6. 仿真和验证：

在实际设计之前，进行电路的仿真和验证是至关重要的。使用仿真软件，例如PSIM、LTspice等，验证设计的性能和稳定性。

7. PCB设计：

根据电路设计，进行PCB布局和布线。注意防止电磁干扰、减小电感等影响。

8. 调试和优化：

通过实际搭建电路进行调试，观察输出波形、效率等指标，进行可能的调整和优化。

请注意，这只是一个概要，实际设计可能会更加复杂，具体的电路参数和元件选择需要根据具体应用、功率需求、效率要求等因素来确定。在设计过程中，遵循SiC-MOSFET的规格书和电路设计的基本原则非常重要。