ST（STMicroelectronics）是一家半导体制造公司，提供了多种碳化硅（SiC）材料制造的金属氧化物半导体场效应晶体管（SiC MOSFET）产品。这些SiC MOSFET广泛应用于高性能功率电子设备中，如电源转换器、电动汽车、电机驱动和工业应用等。

对于碳化硅MOSFET的短路实验性能与有限元分析法热模型的开发，可能涉及到以下方面：

1. 短路实验性能：

1. 短路电流承受能力：

• 测试碳化硅MOSFET在短路条件下的电流承受能力。这涉及到将设备暴露在短路电流下，观察其响应和可能的热特性。

2. 短路保护和响应时间：

• 评估SiC MOSFET的短路保护机制，包括快速切断电流的能力以及响应时间的测量。这对于确保设备在短路情况下能够迅速、可靠地保护是关键的。

3. 短路温度特性：

• 分析短路状态下SiC MOSFET的温度变化。短路情况可能导致设备的热量积累，需要了解设备在这种条件下的温度响应。

2. 有限元分析法热模型的开发：

1. 材料特性和参数：

• 收集SiC MOSFET的材料特性和参数，包括热导率、热容量等。这些参数将用于建立有限元热模型。

2. 几何建模：

• 使用有限元分析软件，对SiC MOSFET进行几何建模。这包括建立器件内部的结构、金属层、绝缘层等。

3. 热边界条件：

• 定义模型的热边界条件，包括周围环境温度、散热器的热导率等。这些条件对于准确模拟实际工作条件至关重要。

4. 热源建模：

• 将SiC MOSFET在正常工作和短路情况下的热源建模，考虑功率损耗、短路电流引起的额外损耗等。

5. 模型验证：

• 使用实验数据验证有限元分析法热模型。这包括比较模型预测的温度变化与实测数据的一致性。

6. 优化和改进：

• 根据验证结果对热模型进行优化和改进。这可能包括调整参数、改进几何模型等，以提高模型的准确性。

以上是对ST碳化硅MOSFET的短路实验性能和有限元分析法热模型开发的一般步骤。具体的实施可能需要结合具体的器件型号和应用环境，以确保准确性和可靠性。