本征半导体是一种特殊的材料，具有独特的电导性能。本征半导体的名称来自于其原子结构中的本征载流子，这些载流子是通过原子的共价键形成的。

本征半导体的现象主要是由电子和空穴的运动引起的。当温度升高时，电子会变得更加激动，获得更高的能量，从而跳出原子的共价键。当电子跳出共价键时，会在晶格中留下一个空位，形成空穴。这种电子和空穴在材料中的运动就是本征半导体的现象。

本征半导体的特征有一些重要的性质。首先，本征半导体的电导率与温度成反比。随着温度升高，本征半导体的电导率会降低，因为电子和空穴的数量会减少。这意味着在低温下，本征半导体的电导率较高，可以有效地传导电流。而在高温下，电导率会下降，导电能力较弱。

其次，本征半导体的电导率与施加的电场有关。当施加电场时，电子会被电场力推动，而空穴会被电场拉动。这会导致电子和空穴在材料内部向相反方向移动，形成电流。本征半导体的电导率正比于施加的电场强度，这意味着电场越强，电导率越高，电流也就越大。

最后，本征半导体的电导率还与材料的掺杂程度有关。掺杂是将一些外部杂质引入到本征半导体中，以改变其电导特性。通常，通过掺入少量的杂质，可以显著提高本征半导体的电导率。这是因为外部杂质会增加材料中自由电子或空穴的数量，从而增强了导电能力。

总之，本征半导体是一种具有独特电导性能的材料。它的现象主要是由电子和空穴的运动引起的，并且其电导率与温度、电场和掺杂程度有关。深入了解本征半导体的特征，可以帮助我们更好地理解和应用半导体材料的特性。