MOS管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor）是一种常见的场效应晶体管，其导通和截止条件是进行电路设计和使用时必须考虑的重要因素。

首先，我们来了解一下MOS管的基本结构。MOS管由三个主要部分组成：沟道（Channel）、栅极（Gate）和漏极（Drain）。沟道位于栅极和漏极之间，是电流通路。栅极用来控制沟道中的电流，通过改变栅极电压来改变导通与截止状态。

当MOS管处于导通状态时，沟道中的电流可以在栅极施加的电压下流通。这种导通状态的条件受到以下因素的影响：

1.栅极电压大于或等于临界电压（Threshold Voltage）：临界电压是指当栅极电压达到一定值时，沟道开始导通的阈值电压。在栅极电压小于临界电压时，沟道处于截止状态，没有电流流经。

2.栅极电压与漏极电压之间的差异：栅极电压与漏极电压之间的差异，也被称为栅极与源极电压（Gate-to-Source Voltage），决定了MOS管的导电特性。通常情况下，如果栅极与源极电压之差较大，即使栅极电压已经超过临界电压，沟道仍然处于截止状态。

3.电流注入效应（Channel-Body Biasing）：当漏极电压增加时，由于栅极和沟道之间的电压差增大，电流注入效应会发生。这种效应会导致沟道中的电流增加，从而使MOS管进入导通状态。

而当MOS管处于截止状态时，栅极电压小于临界电压，沟道被阻断，电流无法流经。此时，沟道中的电阻非常高，几乎可以近似为无穷大。这种截止状态的条件是：

1.栅极电压小于临界电压：当栅极电压低于临界电压时，无论漏极电压如何变化，沟道都会被阻断。

2.栅极电压与漏极电压之间的差异：当栅极电压与漏极电压之差增大时，MOS管的导电特性将处于更靠近截止状态的情况。

综上所述，MOS管的导通和截止状态是由栅极电压、栅极与漏极电压差异和临界电压等因素共同决定的。通过合理的电路设计和电压控制，可以实现MOS管的导通和截止状态的精确控制，满足不同电路的需求。