肖特基结和异质结是半导体器件中常见的两种结构，它们在电子器件中具有不同的特性和应用。了解这两种结构的区别对于研究和设计新型器件非常重要。

首先，肖特基结是由金属和半导体材料之间形成的结构。其中，金属为阴极，半导体为阳极，而金属与半导体之间存在一个能带弯曲，形成肖特基势垒。这个势垒能够限制电子的运动，因此具有良好的整流特性。相比之下，异质结包含两个不同材料的半导体层，其中一个为n型半导体，另一个为p型半导体。两个不同性质的材料形成的异质结有助于在其中形成电场，从而实现电子和空穴的有效分离和运动。因此，异质结具有较高的电压传递和很高的效率。

在导电特性方面，肖特基结是一个非线性器件，其在正向偏置下电流呈指数增长。而在反向偏置下，由于势垒的存在，电流成指数下降。而异质结在不同的偏置条件下，电流呈现不同的导通特性。当正向偏置时，由于不同材料之间的电场作用，电流很容易传输，因此具有低电阻。相反，当反向偏置时，电流传输非常困难，因此具有高电阻。

此外，肖特基结和异质结的制备过程也有所不同。肖特基结的制备较为简单，只需将金属与半导体材料通过热蒸发或溅射等方法进行连接即可。而异质结的制备相对较为复杂，需要通过外延生长等技术将不同的半导体材料层按照一定的顺序生长在晶体基片上。

最后, 在应用方面，肖特基结常被用于光电二极管、太阳能电池、恢复二极管等器件中，这些器件主要用于能量转换和电流整流等方面。而异质结则广泛应用于激光器、光电探测器等高频电子器件中，这些器件具有高速数据通信和光信号处理等重要应用。

总之，肖特基结和异质结是半导体器件中两种不同的结构，它们在导电特性、制备过程和应用方面都存在明显的差异。了解这些差异有助于更好地理解和应用这些器件，推动半导体技术的发展。