Flash（中文名“闪存”）是一种非易失性存储器，它使用了电子存储技术。该技术在数据读取时运行，并且在电源关闭后仍然保留存储的数据。Flash存储器旨在代替传统的磁盘驱动器或硬盘驱动器，以提供更高的性能和更大的存储容量。

Flash存储器的基本原理是使用电子存储单元来存储和擦除数据。这些电子存储单元被称为存储单元或存储位。每个存储单元可以存储一个或多个位，取决于其结构和设计。Flash存储器中的存储单元通常由两个栅极一体（FG）晶体管组成，其中每个晶体管存储一个位。

Flash存储器的分类主要分为两种类型：NOR Flash和NAND Flash。这两种类型具有不同的架构和应用。NOR Flash由于其读取和擦除速度较快，通常用于需要快速读取和写入操作的应用，例如系统引导程序、嵌入式系统和固件存储。NAND Flash则更适用于需要大容量存储的应用，例如移动设备、摄像机和固态硬盘。

NOR Flash是较早出现的一种Flash存储器，其存储单元的排列方式类似于常规的存储器，可以直接访问每个存储单元。这使得NOR Flash适用于需要随机访问的应用程序。它具有较快的读取速度，但写入速度较慢。

与之相比，NAND Flash的存储单元以一种串行方式排列。这种排列方式可以提供更高的存储密度和容量。由于其存储单元的特性，NAND Flash在读取速度方面相对较慢，但具有较快的写入速度。另外，NAND Flash还可以进行分块读取和写入操作，使其更适用于需要大容量存储和持续写入操作的应用。

除了NOR Flash和NAND Flash之外，还存在其他类型的Flash存储器，如EEPROM（电可擦除可编程只读存储器）和Hybrid Flash。EEPROM是一种具有可擦除和可编程功能的存储器，它可以对数据进行多次擦除和编程操作。Hybrid Flash则是将NOR Flash和NAND Flash的特性结合在一起的一种存储器，它既具有快速的读取速度，又具有大容量的存储能力。

总的来说，Flash存储器是一种非易失性存储器，它使用了电子存储技术来存储和擦除数据。Flash存储器主要分为NOR Flash和NAND Flash两种类型，它们具有不同的架构和应用。NOR Flash适用于需要快速读取和写入的应用，而NAND Flash适用于需要大容量存储的应用。此外，还存在其他类型的Flash存储器，如EEPROM和Hybrid Flash，它们具有不同的特性和应用场景。随着技术的不断发展，Flash存储器在各个领域的应用将会越来越广泛。