场效应管（Field Effect Transistor，简称FET）是一种常见的电子元件，广泛应用于各种电路中。它具有许多不同类型的符号和特性曲线，下面就对各种常见的场效应管进行介绍。

首先，根据FET的结构和工作原理，我们可以将其分为两大类别，分别是MOSFET（金属-氧化物半导体场效应管）和JFET（结型场效应管）。

MOSFET是最常见的场效应管之一，常用的符号由三个相互连接的部分组成：栅极（G）、漏极（D）和源极（S）。在MOSFET特性曲线中，横坐标表示栅极-源极电压（Vgs），纵坐标表示漏极-源极电流（Ids）。根据不同的工作模式，MOSFET的特性曲线可以分为三种类型：截止区、线性区和饱和区。

当Vgs小于某一阈值电压（Vth）时，MOSFET处于截止区，此时栅极-源极电流非常小。当Vgs大于或等于Vth时，MOSFET进入线性区，电流与电压成线性关系。当Vgs进一步增加，直到达到一定的值，MOSFET进入饱和区，此时电流基本保持不变。MOSFET的特性曲线和符号可以帮助我们判断其工作状态和性能。

接下来是JFET，它的符号和特性曲线与MOSFET有所不同。JFET的符号由三个相互连接的部分组成：栅极（G）、漏极（D）和源极（S）。与MOSFET不同的是，JFET的特性曲线是以漏极-源极电流（Ids）和栅极-源极电压（Vgs）为横纵坐标。JFET的特性曲线也可以分为截止区、线性区和饱和区。当栅极-源极电压为零或负数时，JFET处于饱和区，电流较大。当栅极-源极电压为正时，JFET进入线性区，电流与电压成线性关系。对于JFET来说，其特性曲线和符号同样对我们判断其性能和工作状态有很大帮助。

除了MOSFET和JFET之外，还有一些其他类型的场效应管，例如IGBT（绝缘栅双极性晶体管）和DEPFET（薄膜载流子传输管），虽然它们的特性曲线和符号有所不同，但也可以通过类似的原理进行理解和应用。

总之，场效应管作为一种常见的电子元件，具有多种类型的符号和特性曲线。通过学习和掌握这些符号和特性曲线，我们可以更好地理解和应用场效应管，在电路设计和实际应用中发挥其独特的作用。