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半导体激光器是一种利用半导体材料产生激光的器件，广泛应用于通信、医疗、工业加工等领域。其基本结构包括p-n结、有源区、耦合区和波导区四部分。

首先是p-n结，即半导体激光器中的p型和n型半导体材料之间形成的结构。p型半导体中富集正电荷载流子，n型半导体中富集负电荷载流子，在p-n结处形成电子-空穴复合区。当外加电压加在p-n结上时，电子从n区向p区迁移，空穴从p区向n区迁移，使得p-n结中的电子和空穴重新结合，释放出能量，从而产生光子。

其次是有源区，是半导体激光器中最重要的部分，也称为激光发射区。在有源区中，通过电流注入形成激发态，使电子和空穴重新组合并发射光子。有源区一般为多量子阱结构，可以增强电子和空穴的重新组合效率，提高激光器的输出功率和效率。

耦合区是将电流输入至有源区的部分，起到将电流均匀注入有源区的作用。同时，耦合区也可以起到限制光场传播的作用，使得激光器的输出更加稳定和准确。

最后是波导区，用来限制激光的传播范围，提高激光器的单模输出性能。波导区通常采用折射率比较高的材料，在其中激光通过总反射和波导效应限制光场的传播范围，从而实现单模输出。

总的来说，半导体激光器通过电子-空穴的复合释放能量产生光子，经过有源区和波导区的处理，最终实现稳定高效的激光输出。随着科技的发展，半导体激光器将会在更多领域发挥重要作用，为人类社会的发展带来更多便利和可能性。

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