SiC-MOSFET、SiC模块产品的栅极驱动电压脱离推荐值（导通时＋２２Ｖ～＋１８Ｖ、关断时－３V～－６V）时，会发生什么情况？
2024-02-29 09:15:41
晨欣小编
SiC-MOSFET和SiC模块产品在正常工作状态时，其栅极驱动电压推荐值为导通时为＋２２Ｖ至＋１８Ｖ，关断时为－3V至－6V。如果这些推荐值被超出或脱离，将会导致诸多问题。
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首先，在栅极驱动电压过高的情况下，SiC-MOSFET或SiC模块产品可能会发生过热现象。这是因为过高电压会导致栅极和源极之间的电场强度增大，电荷注入不足，使得开关速度变慢，导致晶体管处于导通状态时间过长，从而产生过多的导通损耗，耗散功率增大，最终导致设备温度升高。
另外，在栅极驱动电压过低的情况下，SiC-MOSFET或SiC模块产品可能会出现导通不彻底的问题。由于栅极驱动电压不足，栅源电压不足以产生足够的电子注入到通道中，导致导通阻态过大，使得晶体管的导通性能下降，导致设备的开关速度降低，甚至在关断状态下会有残余电压，从而影响整个系统的正常运行。
因此，在使用SiC-MOSFET和SiC模块产品时，务必严格遵守栅极驱动电压的推荐值，以确保设备能够正常工作并保证系统的稳定性和可靠性。如果栅极驱动电压脱离推荐值，应及时调整电路设计或选择适当的栅极驱动电路来保证设备的正常运行。
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