绝缘栅型场效应管（Insulated Gate Field Effect Transistor，简称IGFET）是一种常用的半导体器件，常见的有金属氧化物半导体场效应管（MOSFET）和金属半导体场效应管（MESFET）等。

根据不同的材料和工艺特点，绝缘栅型场效应管可以分为多种不同的分类。首先是按照掺杂材料的不同，可以分为N沟道型和P沟道型。其中，N沟道型管通过N型衬底制成，沟道为P型，控制极为N型，而P沟道型则相反，通过P型衬底制成，沟道为N型，控制极为P型。

其次，根据绝缘层的不同，又可以分为MOSFET和JFET。MOSFET具有绝缘氧化层，通过外加电压在栅极和沟道之间形成电场控制电流，而JFET则没有绝缘氧化层，沟道的电流由栅极电压控制。此外，根据栅极结构不同，又可以分为栅极漏极型（G-D结）和栅极源极型（G-S结）等。

另外，绝缘栅型场效应管还可根据不同的尺寸和工作性质进行分类。例如，根据尺寸大小可分为微型、小型、中型和大型等；根据功率和频率特性可分为低功率、中功率和高功率等。

绝缘栅型场效应管在现代电子器件中扮演着重要的角色，广泛应用于功率电子器件、模拟电路、数字逻辑电路等领域。不同类型的绝缘栅型场效应管具有各自的特点和适用范围，在实际应用中需要根据具体要求进行选择。