AT45DB081E-SSHN-B是一款由Adesto推出的串行闪存器件，具有以下基本参数信息：

存储密度：1Gbit
工作电压：2.7V至3.6V
工作温度范围：-40°C至85°C
接口类型：串行SPI
封装：8引脚SOIC
擦除周期：100,000次
数据保持时间：10年

AT45DB081E-SSHN-B是一款小巧但功能强大的闪存器件，适用于各种电子设备和应用场合。其高存储密度和低功耗使其成为许多嵌入式系统和移动设备的理想选择。该器件采用串行SPI接口，操作简便，可轻松与微控制器或其他外围设备通信。而且，它的工作温度范围广泛，可在极端环境下稳定运行。

AT45DB081E-SSHN-B拥有卓越的擦除周期和数据保持时间，用户可以放心地进行频繁的数据擦写操作，并且数据可以长时间保存而不会丢失。无论何时何地，用户都可以依靠这款可靠的闪存器件来存储和管理重要的数据。

总的来说，AT45DB081E-SSHN-B是一款性能卓越的闪存器件，适用于各种嵌入式系统和移动设备。它的高存储密度、低功耗和稳定性能，使其成为众多电子产品设计师和工程师的首选之一。Adesto将继续致力于开发先进的器件，满足客户对性能和可靠性的需求，推动电子科技领域的发展。