场效应管（Field Effect Transistor，简称FET）和绝缘栅双极结型晶体管（Insulated Gate Bipolar Transistor，简称IGBT）都是广泛应用于电子设备中的半导体器件。它们在功能和应用方面有一些区别，下面我们将简要介绍它们之间的区别。

首先，场效应管是一种三端器件，由栅极、漏极和源极组成，通过控制栅极和源极之间的电压来控制漏极和源极之间的电流。而IGBT是一种四层结构的器件，由控制端、漏极和射极组成，通过控制控制端的电压来控制漏极和射极之间的电流。因此，IGBT在一定程度上结合了场效应管和双极晶体管的特点，具有更高的电流承受能力和更低的开关损耗。

其次，场效应管在开关速度和导通电阻方面具有优势，适用于高频开关电路和低功耗应用。而IGBT则在高电压和高电流应用领域表现更为优异，适用于电力电子和驱动器领域。

除了在功能和应用方面有所区别外，两者的型号和规格也存在一定差异。场效应管的型号十分丰富，包括MOSFET、JFET、HEMT等不同类型；而IGBT的型号通常以模块形式出现，如IGBT模块、IGBT励磁器等。

总的来说，场效应管和IGBT都是重要的半导体器件，在电子设备中有着广泛的应用。了解它们之间的区别和特点，对于选择合适的器件具有重要意义。

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