IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor）和MOSFET（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor）都是功率半导体器件，用于控制电流和电压。它们在许多应用中都扮演着重要的角色，但它们之间存在一些显著的区别，其中之一是它们的开关时间。

IGBT的开关时间比MOSFET长。这是因为IGBT是一个混合型器件，结合了双极型晶体管和场效应晶体管的优点，但同时也继承了双极晶体管的劣势，即在开关过程中需要一定的时间来去掉载流子和恢复结构。因此，IGBT的开关时间比MOSFET长，通常在微秒级别，相比之下，MOSFET的开关时间可以达到纳秒级别。

这种区别对于一些应用可能并不重要，但在一些需要高频开关的应用中，开关时间的差异就显得非常重要了。例如，对于逆变器和变频器等高频开关电路，MOSFET更适合，因为其开关时间短，能够更快地响应电路的变化。

另外，IGBT的开关时间长也意味着在一些需要高效能的应用中，可能会有更多的功耗损耗。因为在开关过程中，器件会处于导通和关断状态之间，而开关时间长意味着在这两种状态之间会有一定的重叠，导致器件功耗增加。

总的来说，IGBT和MOSFET在开关时间上的差异是因为它们的内部结构和工作原理不同，而这种差异也影响了它们在不同应用中的适用性。在选择器件时，需要根据具体的应用需求来进行选择，同时也要注意评估器件的开关时间对性能和功耗的影响。