场效应晶体管（Field Effect Transistor，简称FET）是一种重要的半导体器件，具有高频特性优良的特点。特征频率（ft）是描述FET高频响应速度的重要参数，是指在频率为ft时，放大器的增益为1。提高ft是提高FET高频性能的关键措施之一。

要提高FET的特征频率，首先需要降低晶体管的输入和输出电容。因为电容是限制高频性能的主要因素之一。减小输入和输出电容可以通过优化晶体管的结构和工艺来实现。例如，减小晶道长度和宽度，增加栅极间距，优化栅极金属等都可以有效降低电容。

其次，减小晶体管的载流子传输时间也可以提高特征频率。载流子传输时间是指载流子在晶道中传输的时间，传输时间越短，特征频率就越高。为了减小载流子传输时间，可以采用优化的晶道设计和优化器件工艺，提高载流子的迁移率和减小载流子的传输路径。

此外，减小晶体管的耦合电容也是提高特征频率的重要措施之一。耦合电容是指晶体管内部各个节点之间的电容，耦合电容越小，特征频率就越高。为了减小耦合电容，可以采用优化的晶体管布局和优化的集成工艺，减小电容的面积和距离。

总之，要提高场效应晶体管的特征频率，需要从降低输入和输出电容、减小载流子传输时间、减小耦合电容等方面综合考虑，通过优化器件设计和工艺来实现。只有不断提高特征频率，FET才能在高频应用中发挥出其优越的性能。