IPP35CN10N G（英飞凌） 基本参数信息，中文介绍
2024-03-21 09:15:26
晨欣小编
IPP35CN10N G是一款由英飞凌公司生产的功率MOSFET，具有出色的性能和稳定的工作特性。该器件是一款N沟道金属氧化物半导体场效应晶体管，可应用于各种功率电子应用中。
IPP35CN10N G的主要技术参数包括额定电压(VDS)为100V，额定电流(ID)为35A，以及低开关电阻。此外，该器件还具有低导通电阻和高速开关特性，可以有效地减少功率损耗并提高系统效率。
这款功率MOSFET采用了英飞凌公司先进的封装技术，具有良好的散热性能和可靠性，适用于高温高湿环境下的长时间工作。此外，IPP35CN10N G还具有过压、过流和过温保护功能，可以提高系统的稳定性和安全性。
总的来说，IPP35CN10N G是一款性能优秀的功率MOSFET，适用于各种工业和汽车电子应用中，可以提高系统的效率和可靠性，是电子工程师们的理想选择。
售前客服