金属氧化物半导体场效应晶体管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor，MOSFET）是一种常见的功率MOS管。在使用MOS管的过程中，了解其参数随温度变化的特性对于电路的设计和性能优化至关重要。本文将对MOS管的导通电阻RDS(on)和阈值电压VGS(th)随温度变化的特性进行图文分析。

首先，我们来看MOS管的导通电阻RDS(on)随温度变化的特性。通常情况下，MOS管的导通电阻会随着温度的升高而增加。这是因为随着温度的升高，晶体管内部的电子迁移率会减小，从而导致导通电阻增大。图1显示了MOS管RDS(on)随温度变化的典型特性曲线。从图中可以看出，随着温度的升高，MOS管的导通电阻呈现出明显的增加趋势。因此，在高温环境下使用MOS管时，需要考虑导通电阻的增大对电路性能的影响。

接下来，我们来分析MOS管的阈值电压VGS(th)随温度变化的特性。阈值电压是指当MOS管开始导通时，栅极-源极间所需的电压。通常情况下，阈值电压会随着温度的升高而下降。这是因为随着温度的升高，晶体管内部的激活能减小，从而使得MOS管更容易导通。图2显示了MOS管VGS(th)随温度变化的典型特性曲线。从图中可以看出，随着温度的增加，MOS管的阈值电压呈现出逐渐下降的趋势。因此，在高温环境下使用MOS管时，可以通过降低栅极-源极间的电压来提高MOS管的导通性能。

综上所述，MOS管的RDS(on)和VGS(th)都会随着温度的变化而发生变化，这对于电路的设计和性能优化具有重要意义。在实际应用中，需要根据具体的工作环境和要求，合理选择MOS管的工作温度范围和参数，以达到最佳的性能表现。希望本文的分析对于读者有所启发，有助于他们更好地理解MOS管的温度特性。