K6X1008C2D-TF55是三星半导体生产的一款高性能静态随机存取存储器(SRAM)，适用于各种数据存储应用。下面将介绍一些该产品的基本参数信息。

首先，K6X1008C2D-TF55的存储容量为1M位，采用8位数据总线，具有高密度的存储空间。它还具有55ns的快速存取时间，能够快速响应系统的数据读写请求，提升系统性能。

该产品采用低功耗设计，工作电压范围广泛，在2.7V至3.3V之间。同时，K6X1008C2D-TF55还具有低静态功耗和快速的休眠唤醒能力，能够有效节省系统能源消耗。

此外，K6X1008C2D-TF55内部集成了自动休眠和自动唤醒功能，可以根据系统需求灵活地控制存储器的工作状态，实现更加智能、高效的数据存取操作。

三星半导体作为知名半导体制造商，K6X1008C2D-TF55具有良好的品质和可靠性，能够在各种严苛的工作环境下稳定运行。此外，产品还通过了ISO 9001和ISO14001等质量认证，确保了产品符合国际标准。

总的来说，K6X1008C2D-TF55是一款性能优异、节能环保的高性能SRAM产品，适用于各种数据存储应用场景，是提升系统性能和稳定性的理想选择。