STB36NM60ND（ST 意法半导体） 基本参数信息，中文介绍
2024-04-16 09:26:00
晨欣小编
STB36NM60ND是一款由ST 意法半导体生产的功率MOSFET，具有强大的性能和高可靠性。该器件是P-channel金属氧化物半导体场效应晶体管，其主要用途是在电源管理和功率转换应用中提供高效的电力开关解决方案。
STB36NM60ND的主要技术参数包括：额定电压为600V，最大功率为360W，漏极电流为10A，导通电阻为0.45Ω，导电损耗为190mJ。这些参数表明了STB36NM60ND在高端电力应用中具有出色的性能表现。
此外，STB36NM60ND还具有低开关噪声、高速开关和短路保护等特点，可在各种严苛的工作环境下稳定工作。其可靠性和稳定性使得该器件成为许多工程师在设计电源管理系统时的首选选择。
总的来说，STB36NM60ND作为ST 意法半导体的一款重要产品，已经在市场上获得了广泛的应用和认可。它的优秀性能和可靠性为现代电力转换和管理系统的设计带来了更多可能性，为用户提供了高效、可靠的电力解决方案。
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