
STP62NS04Z(ST 意法半导体) 基本参数信息,中文介绍
2024-04-17 09:38:17
晨欣小编
ST意法半导体推出了一款新的高性能功率MOSFET----STP62NS04Z。这款MOSFET具有优秀的导通特性和高效的功率传输能力,适用于各种功率应用,尤其是需要高效能转换和低损耗的场合。
STP62NS04Z的基本参数信息包括:
- N沟道MOSFET
- 高压VDS = 40V
- 低导通电阻RDS(on) = 6.5mΩ
- 高电流能力ID = 62A
- 高功率耗散PD = 95W
- 低开关时间延迟和上升速度
- 封装形式:TO-220
这些参数显示了STP62NS04Z在功率传输和效率方面的出色表现。通过采用这款MOSFET,用户能够实现更高效的功率转换,减少能量损耗,提高整体系统的性能和可靠性。
STP62NS04Z是一款性能稳定、耐用可靠的高功率MOSFET,适用于各种领域的功率应用,如电源管理、工业控制、汽车电子等。其高电流能力和低导通电阻使其在高功率负载条件下表现出色,保证了系统的稳定性和安全性。
总的来说,STP62NS04Z作为ST意法半导体的一款高性能功率MOSFET,具有优秀的技术指标和广泛的应用领域,为用户提供了一种可靠、高效的功率传输解决方案。随着市场对高性能功率器件需求的增加,STP62NS04Z必将成为众多领域的首选产品之一。