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AOZ1282CI中文资料规格参数

 

更新时间:2026-03-08 19:27:23

晨欣小编

  概述

  

  AOZ1282CI 是一款由 AOS Semiconductor 生产的 30V、2A N 沟槽 MOSFET。它是一款通用型 MOSFET,可用于各种应用,例如电源、电机控制和开关电路。

  

  主要规格

  

  漏极-源极电压 (VDS):30V

  

  连续漏极电流 (ID):2A

  

  峰值脉冲电流 (IDM):3.3A

  

  栅极-源极电压 (VGS):±20V

  

  栅极电荷 (Qg):11nC

  

  导通电阻 (RDS(ON)): 25mΩ (typ.)

  

  封装: SO-8

  

  应用

  

  电源供应

  

  电机控制

  

  开关电路

  

  通用功率开关

  

  中文资料

  

  由于我无法直接访问互联网或检索产品规格表,因此无法为您提供 AOZ1282CI 的中文资料。但是,您可以通过以下方式获取中文资料:

  

  AOS Semiconductor 中文网站:AOS Semiconductor 拥有中文网站,其中包含产品信息、技术文档和支持资源。您可以访问以下网址:[移除了无效网址]

  

  搜索引擎:您可以使用搜索引擎搜索 "AOZ1282CI 中文资料",找到一些中文网站或文档。

  

  联系 AOS Semiconductor 客服:您可以联系 AOS Semiconductor 客服,索取 AOZ1282CI 的中文资料。


 

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