送货至:

 

 

nup2105lt1g中文资料

 

2023-04-25 15:52:12

晨欣小编

2023-04-25 15:51:59


NUP2105LT1G是射频N沟道增强型场效应管,以下是NUP2105LT1G中文资料的概述:


主要特点:


1.高频带宽,低输入电容和低噪声


2.低阈值电压和低接地电阻


3.高增益和高线性性能


4.优异的反向传输损耗性能


5.接口电路保护性能好


6.超小SOT-23封装和焊盘下方有源区的提高机械强度


应用领域:


1.通讯系统


2.应用于高频调制、混频放大


3.广播接收器中的LNA、Mixer等


4.无线电中的中频放大器等高频场合


以上是NUP2105LT1G中文资料的概述,如需深入了解该产品,建议查阅官方技术手册。


## nt5cc256m16er-ek中文资料


NT5CC256M16ER-EK是一款2Gbit DDR3 SDRAM芯片,以下是NT5CC256M16ER-EK中文资料的概述:


主要特点:


1.支持高速数据传输,最高频率达到1333MHz


2.支持8位和16位预取,提高数据读取效率


3.128ms自刷新周期以及≤2%的周期偏离率


4.低功耗设计,工作电流最小为25mA


5.56ball BGA封装,小巧方便


应用领域:


1.计算机内存


2.嵌入式系统内存


3.通讯设备内存


4.医疗设备内存


以上是NT5CC256M16ER-EK中文资料的概述,如需深入了解该产品,建议查阅官方技术手册。


 

上一篇: stm8s103f3p6中文资料信息
下一篇: sy7304dbc中文资料

热点资讯 - IC芯片

 

251R15S200FV4E参数信息
251R15S200FV4E参数信息
2025-07-02 | 1143 阅读
STM32F401CCU6参数与数据手册
STM32F401CCU6参数与数据手册
2025-06-25 | 1032 阅读
电芯模拟器的作用
电芯模拟器的作用
2025-06-17 | 1091 阅读
TMS320VC5409GGU-80 BGA 德州仪器中文资料
小功率线性稳压芯片选型
小功率线性稳压芯片选型
2025-05-16 | 1279 阅读
LP2985-33DBVR中文资料
LP2985-33DBVR中文资料
2025-05-16 | 1061 阅读
TI LDO芯片推荐
TI LDO芯片推荐
2025-05-16 | 1212 阅读
LP2985-33DBVR中文资料_PDF数据手册_参数_引脚图
收起 展开
QQ客服
我的专属客服
工作时间

周一至周六:09:00-12:00

13:30-18:30

投诉电话:0755-82566015

微信客服

扫一扫,加我微信

0 优惠券 0 购物车 BOM配单 我的询价 TOP