2023-05-03 18:51:32

N型半导体是指在砷、锑、磷等杂质原子掺入到晶体半导体中所构成的杂质掺杂半导体。它可以增加半导体的导电性，生成大量的自由电子从而明显地破坏晶体的电中性，从而在晶体中形成了大量的游离电子，这些电子能够自由地在晶体内部移动，从而增强了半导体的导电性。N型半导体的名称来源于英文“Negative”，表示这种掺杂后的半导体中出现了负电荷的空穴-电子对数目过剩的情况。

N型半导体的主要元素是硅和锗，被掺入少量的磷、砷、锑等元素。N型半导体的电导率主要是由于掺杂元素中的杂质原子所释放出的多余自由电子提供的，杂质原子中的自由电子成为N型半导体中的载流子，使其导电性能变优秀。

N型半导体的导电性能依赖于掺杂杂质原子的数量、杂质原子的填充深度、温度和光照条件等因素的影响。一般来说，随着掺杂杂质原子浓度的增加，N型半导体的电导率会不断增加。同时，温度升高和光照条件变弱都会导致半导体的电导率降低。因此，N型半导体的电导率可以通过控制杂质掺杂原子的数量和光照条件来实现对其电导性的调控。

总之，N型半导体是一种掺杂了砷、锑、磷等元素的硅或锗材料，主要的特征是在晶体中引入了大量的自由电子，从而增加了半导体的导电性能。N型半导体的制造具有较高的技术难度，但其在现代电子技术中有着广泛的应用。