三星CL21F684ZOANNNC贴片电容是一款高质量的电容，具有极好的性能表现，能够广泛用于电子器件中的多种应用。该电容的参数如下:

1. 额定电容值: 0.68uF
2. 额定电压: 50V DC
3. 导通电阻: <0.1ohm
4. 最大漏电流: <0.01CV或3uA （取较小值）
5. 温度系数: ±15%
6. 封装: 0805 (2.0mm x 1.25mm)
7. 应力: X5R
8. 生产标准: AEC-Q200

CL21F684ZOANNNC电容采用卓越的材料制造，能够提供稳定、可靠的性能，适用于多种电路应用，如滤波、耦合和绕组等。其极低的导通电阻、最大漏电流和稳定的性能使其成为电路设计师的首选之一。

在滤波应用中，该电容可用于抑制噪声和防止信号失真。在耦合应用中，它可以与其他电容进行串联，以控制信号的波形和幅度。在绕组应用中，它可以用作直流耦合电容，以提供磁通平衡和去味器。

此外，CL21F684ZOANNNC电容还具有耐高温性能，在工作温度范围内可保持其性能不变，同时它还符合AEC-Q200生产标准，可用于汽车电子器件中。

总之，三星CL21F684ZOANNNC贴片电容是一款具有高性能、可靠性和多功能性的电容，适用于电子器件中多种应用领域。