MOS管是一种常用的场效应晶体管，广泛应用于电子设备中。为了保证MOS管的正常工作，需要对其参数进行测量。下面介绍一些常用的MOS管参数测量方法。

1. 阈值电压测量：MOS管的阈值电压是指当门极和源极之间的电压达到一定值时，漏极和源极之间开始导通的电压。阈值电压的测量可以通过施加不同的门极电压，并测量漏极和源极之间的电流来实现。通过曲线拟合或其他方式求得阈值电压的数值。

2. 饱和电流测量：MOS管的饱和电流是指当MOS管处于开启状态时，漏极和源极之间的电流达到最大值。饱和电流的测量可以通过增大门极电压，使MOS管处于饱和状态，然后测量漏极和源极之间的电流来实现。

3. 漏极截止电流测量：MOS管的漏极截止电流是指当门极和源极之间的电压为零时，漏极和源极之间的漏电流。漏极截止电流的测量可以通过保持门极和源极之间的电压为零，测量漏极电流来实现。

4. 互导系数测量：MOS管的互导系数反映了MOS管的输运特性。互导系数的测量可以通过改变门极电压，测量漏极电流和门极电流的关系来实现。

5. 输入电容测量：MOS管的输入电容是指在输入信号作用下，MOS管的门极和源极之间的电容。输入电容的测量可以通过将一定频率的交流信号加到门极上，测量输入电流和输入电压的关系来实现。

通过以上方法对MOS管的参数进行测量，可以有效评估MOS管的性能，为电子设备的设计和维护提供依据。同时，也有利于了解MOS管在不同工作条件下的性能特点，为优化电路设计提供参考。因此，在使用MOS管时，对其参数进行准确测量是非常重要的。