辰达半导体 (MDD) TVS 二极管 SMAJ13A 13V SMA(DO-214AC) 单向参数资料详解

1. 产品概述

辰达半导体 (MDD) SMAJ13A 是一款 13V 单向瞬态电压抑制二极管 (TVS)，封装形式为 SMA (DO-214AC)。该器件能够有效抑制瞬态电压，为敏感电子设备提供可靠的过电压保护。

2. 主要参数

| 参数名称 | 符号 | 典型值 | 单位 |

|---|---|---|---|

| 反向击穿电压 | VBR | 13 | V |

| 最大反向工作电压 | VRWM | 11.7 | V |

| 最大正向电流 | IF | 1 | A |

| 最大反向电流 | IR | 100 | μA |

| 钳位电压 | VC | 18.5 | V |

| 钳位电流 | IC | 1 | A |

| 脉冲宽度 | tp | 10 | ns |

| 静态电容量 | C | 4 | pF |

| 工作温度 | TO | -55 ~ +150 | °C |

3. 产品特性

* 高反向击穿电压: 13V 的反向击穿电压能够有效保护敏感电路免受高压脉冲的损坏。

* 低钳位电压: 18.5V 的钳位电压能够在保护电路的同时，最大限度地减少对电路性能的影响。

* 快速响应速度: 10ns 的脉冲宽度能够快速响应瞬态电压，有效地抑制电压尖峰。

* 低静态电容量: 4pF 的静态电容量能够有效地降低电路的寄生电容，提高电路的效率。

* 高可靠性: 通过严格的测试和认证，确保产品的可靠性和稳定性。

* 广泛应用: 适用于各种电子设备，包括通信设备、电源设备、工业设备、汽车电子等。

4. 工作原理

SMAJ13A 采用 PN 结结构，当反向电压超过击穿电压时，PN 结中的电场强度会急剧增加，导致大量的载流子发生碰撞，形成雪崩击穿。当雪崩击穿发生时，二极管的导通电阻会急剧下降，从而将瞬态电压钳位在一定的范围内，保护电路免受损坏。

5. 产品应用

SMAJ13A 广泛应用于各种电子设备的过电压保护，例如：

* 通信设备: 手机、基站、路由器、交换机等。

* 电源设备: 电源适配器、电池充电器、电源模块等。

* 工业设备: 工控机、PLC、伺服电机等。

* 汽车电子: 汽车音响、汽车导航、汽车电子控制系统等。

* 其他电子设备: 计算机、打印机、数码相机等。

6. 产品优势

* 高性价比: 辰达半导体 (MDD) 是国内领先的半导体器件制造商，拥有完善的生产体系和成熟的技术，能够提供高性价比的产品。

* 可靠性: 产品通过严格的质量控制和可靠性测试，确保产品的稳定性和可靠性。

* 技术支持: 辰达半导体 (MDD) 提供专业的技术支持，帮助客户解决产品应用中的问题。

7. 使用注意事项

* 使用 SMAJ13A 时，需要根据电路的要求选择合适的电流值，避免超过器件的额定电流。

* 使用 SMAJ13A 时，需要注意其反向击穿电压，避免反向电压超过器件的额定电压。

* 使用 SMAJ13A 时，需要注意其工作温度，避免温度超过器件的额定工作温度。

8. 结论

辰达半导体 (MDD) SMAJ13A 是一款性能优异、可靠性高的 TVS 二极管，能够有效地保护敏感电子设备免受瞬态电压的损坏，适用于各种电子设备的过电压保护应用。

9. 参考文献

* [辰达半导体 (MDD) 官方网站](mddsemi/)

* [SMAJ13A 数据手册](mddsemi/pdf/SMAJ13A)

10. 关键词

瞬态电压抑制二极管 (TVS)，SMAJ13A，辰达半导体 (MDD)，过电压保护，电子设备，高性价比，可靠性，技术支持。