辰达半导体 (MDD) TVS 二极管 SMAJ18A 18V SMA(DO-214AC) 单向参数资料

一、概述

辰达半导体 (MDD) SMAJ18A 是一款单向瞬态电压抑制 (TVS) 二极管，采用 SMA(DO-214AC) 封装，额定电压为 18V。该器件专为保护敏感电子设备免受瞬态电压浪涌的影响而设计，适用于各种应用，例如电源线、数据线、通信线路、以及工业控制和汽车电子领域。

二、产品特点

* 低钳位电压： SMAJ18A 具有低钳位电压特性，能够在瞬态电压浪涌出现时快速响应，有效地将过电压限制在安全范围内，从而保护敏感电子元件免受损坏。

* 快速响应时间： 该器件的响应时间非常快，可以有效地抑制快速上升时间的瞬态电压浪涌。

* 高功率处理能力： SMAJ18A 具有高功率处理能力，能够承受高能量的瞬态电压浪涌，确保设备的可靠运行。

* 小型封装： SMA(DO-214AC) 封装体积小巧，便于安装和使用。

* 高可靠性： 辰达半导体 (MDD) 的 TVS 二极管经过严格测试和筛选，确保产品质量可靠。

三、主要参数

| 参数 | 符号 | 数值 | 单位 | 备注 |

|--------------------------------|-------|--------|-----------|-------------------------------------------------|

| 额定电压 | Vr | 18V | V | |

| 反向泄漏电流 | IR | 100nA | μA | 在 VR = 15V 时 |

| 钳位电压 | VC | 30V | V | 在 IP = 1A 时 |

| 瞬态脉冲功率 | P | 1000W | W | 脉冲宽度 10/1000μs，占空比 0.01% |

| 反向重复峰值电压 | VRM | 36V | V | |

| 最高工作温度 | TOP | +150℃ | ℃ | |

| 最低工作温度 | TBO | -65℃ | ℃ | |

| 结电容 | CJ | 1.5pF | pF | 在 VR = 0V，频率 1MHz 时 |

| 漏电流 | IL | 100nA | μA | 在 VR = 15V，温度 25℃ 时 |

| 钳位电压上升时间 | tr | 1ns | ns | |

| 瞬态电压抑制能力 | Vclamp | 30V | V | 在 IP = 1A 时 |

| 脉冲电压抑制能力 | Vclamp | 36V | V | 脉冲宽度 10/1000μs，占空比 0.01%，IP = 1A 时 |

| 热阻 (结到环境) | Rth | 25℃/W | ℃/W | |

| 工作电压范围 | Vw | 1.2V~18V | V | |

| 封装 | | SMA(DO-214AC) | | |

四、应用领域

* 电源线： 保护电源线和设备免受电源线路上的瞬态电压浪涌的影响。

* 数据线： 保护数据线和设备免受数据传输过程中的瞬态电压浪涌的影响。

* 通信线路： 保护通信线路和设备免受雷击和静电放电的影响。

* 工业控制： 保护工业控制系统免受电网波动和干扰的影响。

* 汽车电子： 保护汽车电子设备免受汽车电气系统产生的瞬态电压浪涌的影响。

五、工作原理

TVS 二极管的工作原理基于 PN 结的雪崩效应。当 PN 结的电压超过其击穿电压时，PN 结中的电流急剧增加，导致结电阻大幅度降低，将过电压钳位在一个安全范围内。

六、使用注意事项

* 电压选择： 选择 TVS 二极管的额定电压应高于被保护设备的最高工作电压，以确保器件能够在任何情况下都能有效地抑制瞬态电压浪涌。

* 电流选择： 选择 TVS 二极管的额定电流应大于预期可能出现的最大瞬态电流，以确保器件能够承受瞬态电流而不损坏。

* 封装选择： 选择 TVS 二极管的封装应适合被保护设备的安装空间和环境要求。

* 安装： TVS 二极管应尽可能靠近被保护设备安装，以减少寄生电感，提高抑制效果。

七、总结

辰达半导体 (MDD) SMAJ18A 是一款可靠的单向 TVS 二极管，具有低钳位电压、快速响应时间、高功率处理能力、小型封装等特点，适用于各种应用领域，能够有效地保护敏感电子设备免受瞬态电压浪涌的影响，提升设备的可靠性和安全性。