IS62WV51216BLL-55TLI参数与资料
2024-11-12 11:46:06
晨欣小编
IS62WV51216BLL-55TLI 是一款高性能、低功耗的8Mb静态随机存取存储器(SRAM),具有512K × 16位的存储容量,适用于各种工业和车用应用。它采用ISSI的高性能CMOS技术制造,能够提供较快的存取速度和低功耗操作,是要求低功耗和高速度的系统中理想的存储解决方案。
存储容量:8Mb(512K × 16位)
存取时间:55ns
电源电压:2.5V至3.6V
接口类型:TTL兼容
工作温度范围:-40°C至+85°C
封装形式:TSOP-II-44引脚表面贴装封装
低功耗:典型工作功耗为36mW,待机功耗为12µW
静态操作:无需时钟或刷新,完全静态运行
三态输出:可控制数据输出
数据控制:支持高字节(UB)和低字节(LB)访问
芯片选择和输出使能控制:通过CS1、CS2、OE和WE控制存储器的操作
存储器大小:8Mbit
每字的位数:16位
字组数目:512K字
存取时间:最大55ns
工作电压范围:2.5V至3.6V
待机功耗:12µW(典型值)
工作功耗:36mW(典型值)
IS62WV51216BLL-55TLI广泛应用于需要高速、低功耗静态存储器的领域,特别适合以下应用:
工业应用:用于控制系统、数据采集系统、自动化设备中的数据存储。
车载应用:用于汽车电子系统,提供稳定的存储解决方案。
消费电子:例如高性能计算机、网络设备等。
参数
描述
存储容量
8Mb(512K × 16位)
存取时间
55ns
电源电压
2.5V至3.6V
工作温度范围
-40°C至85°C
封装形式
TSOP-II-44
尺寸
18.52mm x 10.29mm x 1.05mm
位址总线宽度
19位
每字的位数
16位
最大工作电源电压
3.6V
最低工作电源电压
2.5V
功耗
工作功耗:36mW(典型值),待机功耗:12µW(典型值)
接口类型
TTL兼容
三态输出
是
控制引脚
需要芯片使能(CS1, CS2)、输出使能(OE)和写使能(WE)控制
IS62WV51216BLL-55TLI 是一款可靠且高效的SRAM存储器,适用于需要快速存储和低功耗的应用。它的广泛工作电压范围、低功耗特性、以及强大的数据控制能力,使其在工业、车载及消费电子领域得到了广泛的应用。如果您有更多技术问题或需要支持,欢迎随时联系。
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