EEPROM（Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory）和Flash（闪存）是常见的非易失性存储器，用于需要长期保存数据和程序的应用中。虽然二者的作用类似，但在设计和应用中存在一些区别。

EEPROM与Flash的区别：

1. 擦除方式不同： EEPROM擦除时针对每个字节单独擦除，而Flash是按照块擦除，一次擦除的范围通常是几十KB甚至数百KB。

2. 品质不同：EEPROM中制造的晶体管的硅质较高，Flash的硅质较低，因此Flash比EEPROM的寿命和稳定性低。

3. 速度快慢不同：EEPROM在读写大量数据时，速度明显慢于Flash。Flash由于是按块擦写，特别适用于读写较大的数据块，所以读写速度较快。

4. 应用场景不同： EEPROM适用于对速度和使用寿命没有严格要求的电子产品，如车身控制、智能卡、电子阅读器等。Flash易失性较低，适用于需要频繁读写的应用，如内存卡、U盘、MP3/MP4播放器等。

举例说明：

1. 电子锁存储EEPROM：EEPROM常用于存储电子锁的安全码、解锁方式、IO接口设置等重要信息。用户通过钥匙或密码进行解锁时，电子锁会读取EEPROM中存储的密匙信息进行验证。

2. USB闪存盘用Flash：USB闪存盘采用的是Flash技术，主要通过USB总线与计算机进行数据交换。因为Flash具有较快的读写速度，足够大的存储空间，可以轻松地读写文件、照片和视频。而且，它不需要任何电源，仅需简单的接口即可使用。

综上所述，EEPROM和Flash在设计和应用方面有所不同，在具体应用中需要根据实际需求来选择。EEPROM适用于存储少量的数据和程序，如电子锁、智能卡等应用。Flash适用于需要读写频繁的大量数据的应用，如USB闪存盘、内存卡等应用。