ULN2003V12DR 技术参数详情
2025-07-16 09:34:39
晨欣小编
- 制造商产品型号：ULN2003V12DR
- 制造商：TI公司（德州仪器，Texas Instruments）
- 描述：MOSFET 7CH 16SOIC
- 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列
- 产品系列：-
- 零件状态：有源
- FET类型：-
- FET功能：-
- 漏源电压（Vdss）：-
- 25°C时电流-连续漏极(Id)：-
- 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：-
- 不同Id时Vgs(th)（最大值）：-
- 不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：-
- 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：-
- 功率-最大值：-
- 工作温度：-40°C ~ 125°C（TJ）
- 安装类型：表面贴装型
- 封装：16-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
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