UnitedSiC（现名Qorvo）日前宣布推出了具有业界出众品质因数的1200V第四代SiC FET。

据悉，该产品是一款高质量、高效率的现代功率半导体器件，采用最新的半导体技术，能够提供业内最高的电子质量因数，并具有出色的可控性和可靠性。该产品的使用，能够提升市场上各种电气应用的效率和可靠性。

据Qorvo的工程师介绍，第四代SiC FET的设计，具有高结构性能和高能量捕捉能力，同时还采用了低漏电流和低节点电容的设计方案，具有极高的稳定性和抗串扰性。

此外，该产品的额定电压高达1200V，具有出色的耐压性能和抗压能力，能够保证在高电压环境下，依然能够稳定地工作。此外，该产品还具有出色的峰值电流和电源承载能力，在面对高负荷工作时，表现非常出色。同时，该产品还包括热稳定性能优异的封装方案，适用于精密电气设备的高温环境使用。

据悉，该产品的问世，意味着电气市场上将迎来一场技术革命，该产品的高效、高质、高稳定性、高电压、高峰值电流等多方面的优点，将会大大推动电气市场的发展，为智能家居、工业自动化、新能源汽车等领域的发展提供了重要的技术支持。