Power Integrations宣布推出一种新型600V Qspeed二极管，这种二极管可以被用来有效地替代汽车应用中的SiC元件。这种新型二极管集成了公司独有的Qspeed技术，其快速恢复速度以及低反向损耗使得这种二极管能够为同等功耗下的SiC元件提供更好的性能水平。

在车载电子系统（如电池管理系统、电动汽车充电桩等）中，普遍使用SiC元件以提高效率。而600V Qspeed二极管可以使用现有硅驱动电路用于取代SiC元件，在相同功耗下降低成本。而且它还具备抗干扰性强的特点。

据Power Integrations产品线营销总监Ganesh Moorthy表示，该公司的技术可同时改善二极管的快速恢复性能、反向漏电流以及温度漂移（leakage current and temperature drift），从而为汽车应用提供高性价比解决方案。

总的来说，Power Integrations的600V Qspeed二极管不仅具备与SiC元件同样的低反向损耗，而且还具有更快的恢复速度和更好的抗干扰性能，提供了更具成本效益的选择，可以为汽车电子系统的设计提供更加高效可靠的解决方案。