Microchip Technology Inc.最近扩展了其碳化硅（SiC）电源器件系列产品。这些产品旨在提高系统性能、尺寸和可靠性，加速市场采用碳化硅技术。

作为下一代高温、高功率应用的理想解决方案，碳化硅（SiC）器件是实现能源效率和功率密度提高的重要手段。Microchip的碳化硅（SiC）器件提供了更高的开关频率、低导通电阻和灵活的潜能，可用于各种应用，例如电力转换和电动汽车的驱动器。

Microchip目前推出了多款新型号，包括三相无刷直流电机驱动器，隔离型网关驱动器和半桥和全桥霍尔传感器驱动器。这些器件旨在加速市场采用碳化硅技术，实现更高效率、更小尺寸、更可靠的系统性能。

其中，隔离型网关驱动器使用了微芯高速MOSFET和晶体管，实现了高度集成化，并提供了远高于同类器件的效率。同时，该驱动器还可以识别多种通信协议，例如RS485、任务管理器等。

碳化硅（SiC）器件的优点在于，相对于传统硅材料，它们的导通电阻更低，导电性能更好，可以实现更高的开关频率，并且更加坚韧耐用，在高功率和高温应用环境下表现更加出色。

通过使用Microchip的碳化硅（SiC）器件，高温、高功率应用可以实现更高效的能源转换，可靠且灵活地优化系统性能和尺寸。这些创新性的器件可满足广泛的应用需求，例如自动驾驶汽车、工业机器人、太阳能和风能系统、医疗设备等。