最近，TOSHIBA东芝宣布推出了一款面向中大电流IGBT/MOSFET的光耦，该产品具有内置保护功能，可保障电路的稳定性和安全性。

据悉，该款光耦采用了TOSHIBA东芝自主研发的光耦技术，光学隔离效果、转换效率和高温高湿环境下的耐久性均得到了极大提升，大幅提高了产品的稳定性和可靠性。

在保护功能方面，该款光耦内置了欠压锁定保护和输出端短路保护，能够有效避免输出端电流过大、超过光耦的承受能力，防止电路的过载和短路，保障电路的安全运行。

据了解，这款光耦的最大工作电压和输出电流分别为1500V和50A，适用于中大功率、高速驱动的IGBT/MOSFET，广泛应用于运动控制、电力电子、太阳能系统等领域。

TOSHIBA东芝光电器低功耗设备业务单元市场专家谷洋介绍说：“本次推出的内置保护功能光耦，是我们在积极响应市场需求的同时，持续推进技术创新、满足客户需求的重要一步。我们将继续以光耦为基础，不断推出具有更高性能、更优质服务的光电器件，为各个领域的客户提供最佳解决方案。”

可见，这款面向中大电流IGBT/MOSFET推出的内置保护功能光耦，代表了TOSHIBA东芝在光电器件领域的技术实力和创新能力，将有望在运动控制、电力电子、太阳能系统等领域找到广泛应用。