Vishay Intertechnology在今天宣布推出第四代TrenchFET系列的60V n沟道功率MOSFET。该系列包括SiR626DP、SiR620DP、SiR624DP、SiR620ADP和SiR624ADP等型号。这些型号专为标准栅极驱动电路而设计，可以广泛应用于轻型汽车、模块化电源、DC-DC转换电路和服务器电源等领域。

这些MOSFET采用了先进的TrenchFET技术，具有低导通电阻和低开关损耗等特点。SiR620DP和SiR624DP型号的导通电阻分别为6.6 mΩ和10.1 mΩ。同时，它们还具有较高的可靠性和EMI性能。

值得一提的是，这些产品还支持Vishay的DrMOS封装技术。DrMOS是一种先进的分立解决方案，可将MOSFET、驱动器和电源电感器集成在一起，提高效率并减少系统复杂性。

此外，这些MOSFET还符合RoHS指令和Halogen Free标准，且可用于-55°C至150°C的工作温度范围内。

总的来说，这些第四代TrenchFET系列的60V n沟道功率MOSFET具有性能稳定、可靠性高、应用领域广泛等特点，是广大用户的理想选择。