STMicroelectronics（ST）最近发布了一款650V超结MOSFET，这是一种具有高效能且可靠性能的功率开关。该超结MOSFET采用了ST的先进半导体技术，具有极低导通和开关损耗，可在广泛的应用领域中提供出色的性能。

该650V超结MOSFET系列通过使用优化的电极和结构设计，实现了一流的性能，包括低导通电阻和良好的体二极管特性。此外，新款超结MOSFET还具有优异的电压抑制能力和快速开关速度，这使得它适用于各种高效电源应用。

这些MOSFET器件在各种电力电子应用中能够提供出色的表现，包括电机控制，UPS（不间断电源）系统，太阳能逆变器和电力因数校正器。此外，该系列超结MOSFET还适用于电动车充电器等领域。这些应用通常需要高效能、高可靠性和长寿命的器件，而ST新型650V超结MOSFET正好符合这些要求。

该款超结MOSFET的单个器件尺寸为TO-220或TO-247，包括各种不同的电流排列，从36A到92A，以满足不同应用的需求。此外，这些器件还具有温度保护，可保证器件在超过其最大操作温度时不会受到损坏。

总之，ST的这款650V超结MOSFET提供出色的性能和可靠性，适用于各种高效电源和电机控制应用。其广泛的电流排列和保护特性使其成为电力电子行业的理想选择。