MOS管，就是金属氧化物半导体场效应管，被广泛地应用到电子电路中，它具有低电压驱动能力和高输入阻抗等优点。在了解MOS管的使用前，需要清楚MOS管的导通及截止条件。

MOS管导通条件：

(1)场效应管的栅极电压VGS必须高于门源结势垒高度，即VGS>Vth。这是因为当VGS>Vth时，栅极与介质层中的沟道之间会形成正向电势；并在沟道中形成一个高电子浓度区(也称导电区)。因此，当VGS>Vth时，在管源极之间的导体中将出现漏电流和小信号放大作用。

(2)栅极搬运的电荷足以使沟道区的电子浓度达到或超过临界点，进一步改变沟道区的下降曲线，进一步改变沟道区的逆摔开电压，形成完整的导通状态。当栅源电压(VGS)变化时，沟道区的导通模式可看作是将一些n型电子注入p型基区形成p-n接面级联耦合管的一种特殊结构；而当触发电压到达一定值时，p-n内部空间电荷区逆向穿越过风光中的n型区，从而进一步放大了导通模式，因而MOS管的放大倍数以级联耦合管的方式显示出来。

(3)MOS管还需满足正向通性，即源极的电势低于漏极。当源极如此时，P型半导体中的空穴会漂移到N型半导体中去，N型半导体中的电子也会漂移到P型半导体中去，最终导致管道的通电状态。

MOS管截止条件：

(1)当栅源电压(VGS)小于消除微小压缩层电势的阈值电压(即Vth)时，流经漏极与源极之间的漏电流仅为微弱而不能支持其他任何电流，因而MOS管的导通状态被进一步结束；

(2)当MOS管的漏电流达到极小值时，进一步增加应用于管极的电势，所产生的所有额外的电压降都是以极大的劣势，形成电流控制电压源，最终导致MOS管的电路截止；

(3)当网栅之间的电势发生了较大变化时，计算累加产生的电势尖峰；此时，MOS管工作与正常条件变得弱化，可能会影响其使用寿命。

同时，它对Input Capacitance以及Output Capacitance的控制能力也很强。在数码电子电路中MOS管还可以用于逻辑控制、计数器、多路选择器、寄存器注册器等方面的电路。

因此，在使用MOS管前，需要了解其导通及截止条件，可以更有效地设计和优化电路结构，发挥MOS管的特点和优点。

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