场效应管（Field-Effect Transistor，简称FET）是一种重要的半导体器件，具有多个参数来描述其特性和性能。以下是常见的场效应管的参数：

1. 漏极电流（Idss）：在栅极与源极间施加零偏压时，漏极电流的最大值。

2. 饱和漏极电流（Id(on)）：在栅极与源极之间施加适当的正偏压时，漏极电流的值。

3. 截止漏极电流（Id(off)）：在栅极与源极之间施加适当的负偏压时，漏极电流的值。

4. 跨导（Transconductance，gm）：指的是栅极-源极电压变化引起的漏极电流变化。通常以单位电压变化引起的单位电流变化来表示。

5. 漏源击穿电压（Vds(max)）：漏极与源极之间最大允许的电压差，超过该值可能导致击穿。

6. 栅源击穿电压（Vgs(max)）：栅极与源极之间最大允许的电压差，超过该值可能导致击穿。

7. 栅源截止电压（Vgs(off)）：当场效应管工作在截止区时，栅极与源极之间的电压。

8. 输入电容（Ciss）：栅极-源极电容和栅极-漏极电容的总和。

9. 输出电容（Coss）：漏极-源极电容。

10. 反向传导（Reverse Transfer Capacitance，Crss）：栅极-源极电容。

11. 漏源电阻（Rds(on)）：场效应管导通状态时的漏源电阻。

12. 漏源耗散功率（Pd）：允许场效应管在导通状态下耗散的最大功率。

13. 噪声系数（Noise Figure）：描述场效应管在信号放大过程中引入的噪声。

这些参数会因不同的场效应管型号、制造商和应用而有所不同。在选择和使用场效应管时，需要根据具体应用的要求和电路设计来考虑这些参数，以确保获得期望的性能。