肖特基二极管（Schottky Diode）和场效应管（Field-Effect Transistor，FET）是两种不同类型的电子器件，它们在结构、工作原理和应用方面有明显的区别：

1. **结构：**

   - **肖特基二极管：** 肖特基二极管是一种二端器件，由金属与半导体的接触组成。金属与半导体接触处存在肖特基势垒，用于整流、开关和高频应用。

   - **场效应管：** 场效应管是一种三端器件，由栅极（Gate）、漏极（Drain）和源极（Source）组成。根据不同类型，可以分为MOSFET和JFET，工作原理是通过栅极电场调控漏极到源极的电流。

2. **工作原理：**

   - **肖特基二极管：** 肖特基二极管的工作原理是基于金属-半导体接触的肖特基势垒，由于势垒的存在，它具有较低的正向压降和快速开关特性。

   - **场效应管：** 场效应管的工作原理是通过栅极电场来调节漏极到源极的电流。MOSFET中，电场控制了沟道的导电性，而JFET中，栅极电场影响了沟道的耗尽层宽度。

3. **应用领域：**

   - **肖特基二极管：** 肖特基二极管主要用于高频开关、快速恢复整流和低正向压降的应用，例如开关电源、射频电路和混频器。

   - **场效应管：** 场效应管广泛用于放大、开关、模拟信号处理、数字逻辑和功率放大等领域。

4. **符号表示：**

   - **肖特基二极管：** 肖特基二极管的符号表示与普通二极管相似，但在晶体管符号上通常添加一个附加的弯曲线，表示肖特基势垒。

   - **场效应管：** 场效应管的符号通常由栅极、漏极和源极组成的三角形表示。

综上所述，肖特基二极管和场效应管是两种不同类型的器件，它们在结构、工作原理和应用方面有明显的区别。根据具体的应用需求，可以选择合适的器件来满足设计要求。